拆解ASML生產EUV光刻機奧秘 頻道直擊開發基地 詳述技術原理 2026年1月6日 CEO AI
Main Point: 荷蘭艾司摩爾（ASML）獨家製造的極紫外光（EUV）光刻機， 單台售價約4億美元（約31.2億港元）， 能夠製作包含數十億電晶體的晶片，堪稱人類史上最複雜、 最昂貴的商業機器。 擁有近2000萬訂閱者的YouTube頻道Veritasiu m，近日直擊艾司摩爾EUV光刻機的開發基地， 詳細向觀眾解釋這項技術的構思緣由，以及機器大致的運作原理， 影片播放量至今突破1000萬次。 2026年1月6日 CEO AI⎹ EJ Tech 拆解ASML生產EUV光刻機奧秘 頻道直擊開發基地 詳述技術原理 荷蘭艾司摩爾（ASML）獨家製造的極紫外光（EUV）光刻機，單台售價約4億美元（約31.2億港元），能夠製作包含數十億電晶體的晶片，堪稱人類史上最複雜、最昂貴的商業機器。擁有近2000萬訂閱者的YouTube頻道Veritasium，近日直擊艾司摩爾EUV光刻機的開發基地，詳細向觀眾解釋這項技術的構思緣由，以及機器大致的運作原理，影片播放量至今突破1000萬次。 日科學家提出EUV概念曾遭嘲笑 EUV概念最早在八十年代中期提出，由日本科學家木下博雄（Hiroo Kinoshita）在NTT實驗室，投影出首批EUV影像。 木下博雄提出，透過彎曲X光來成像，加上因光線易吸收、需要真空環境與特殊鏡子，技術概念遭業界視為不可能，木下博雄更在演講中被嘲笑，指是一場大騙局。 之後，美國國家實驗室、貝爾實驗室、英特爾一度參與研究，但大多放棄，艾司摩爾則在九十年代接手，經歷30年、數十億美元投資後，相繼克服無數工程難題。 2000年首部EUV工程測試機誕生，每小時只能生產10塊晶圓。主要樽頸在於光路，需要經過8個鏡面，以及一個光罩（Reticle），導致光損耗極大，僅約4%光能到達晶圓。其後，艾司摩爾取得技術突破，成功研發「激光產生等離子體」（LPP）技術，逐步克服光源功率不足、反射鏡污染等挑戰。時至2024年，EUV光源功率提升至500瓦級水平，實現每秒10萬液滴錫珠的處理能力。 技術要求極高 如建人工太陽 時至今日，極紫外光光刻機技術要求極高，必須連續不斷地，以極高精度下操作，例如錫滴只有白血球大小，以時速約250公里射出。激光在一秒內射擊5萬滴錫珠3次，先預脈衝將這些錫珠壓扁成薄餅，再主脈衝將「薄餅」蒸發成22萬開爾文（Kelvin，溫度單...
